Edición de «GDDR6»

{{Ficha de hardware|nombre=GDDR6|nombre completo=Graphics Double Data Rate 6|tipo=[[SDRAM]]|desarrollador=[[JEDEC]]|lanzamiento=2018 ({{edad|0|0|2018}})
|precedido por =[[GDDR5]]
|sucedido por = [[GDDR7]]}}

'''GDDR6 SDRAM''' (de las siglas en inglés '''G'''raphics '''D'''ouble '''D'''ata '''R'''ate '''6''' '''S'''ynchronous '''D'''ynamic '''R'''andom-'''A'''ccess '''M'''emory) es un modelo moderno de [[SDRAM|memoria de acceso aleatorio de gráficos sincrónicos]] (SGRAM) con una interfaz de ancho de banda de alto rendimiento diseñada para su uso en [[Tarjeta gráfica|tarjetas gráficas]], [[Videoconsola|videoconsolas]] y [[computación]] de alto rendimiento. Es un tipo de GDDR SDRAM (gráficos [[DDR SDRAM]] ),como su predecesor de [[GDDR5]] hasta su sucesora [[GDDR7 SDRAM|GDDR7.]] Al igual que GDDR5X, utiliza QDR (velocidad de datos cuádruple) en referencia al reloj de comando de escritura (WCK) y ODR (velocidad de datos octal) en referencia al reloj de comando (CK).<ref name="Sin_nombre-1_63V-1">{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/15978/micron-spills-on-gddr6x-pam4-signaling-for-higher-rates-coming-to-nvidias-rtx-3090|título=Micron Spills on GDDR6X: PAM4 Signaling For Higher Rates, Coming to NVIDIA’s RTX 3090|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Smith|nombre=Ryan|sitioweb=www.anandtech.com}}</ref>

== Características ==
La especificación finalizada fue publicada por ''[[Joint Electron Device Engineering Council]]'' (JEDEC) en julio de 2017,<ref>{{Cita web|url=https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd250a|título=GRAPHICS DOUBLE DATA RATE 6 (GDDR6) SGRAM STANDARD {{!}} JEDEC|fechaacceso=1 de agosto de 2018|sitioweb=www.jedec.org|idioma=en}}</ref> ofreciendo un mayor ancho de banda que el anterior [[GDDR5]] por pin, llegando hasta los 16 [[Gbps]]<ref>{{Cita noticia|apellidos=Shilov|nombre=Anton|título=SK Hynix to Ship GDDR6 Memory for Graphics Cards by Early 2018|url=https://www.anandtech.com/show/11297/sk-hynix-announces-plans-to-ship-gddr6-memory-for-graphics-cards-in-early-2018|fechaacceso=1 de agosto de 2018}}</ref> y con voltajes de operación más bajos (1,35V<ref name=":0">{{Cita noticia|título=SK Hynix's first GDDR6 RAM will initially top out at 14 Gbps|url=https://techreport.com/news/31909/sk-hynix-first-gddr6-ram-will-initially-top-out-at-14-gbps|fechaacceso=1 de agosto de 2018|periódico=The Tech Report}}</ref>), logrando aumentar el rendimiento y disminuir el consumo de energía en relación con [[GDDR5|GDDR5X]].<ref name="Sin_nombre-1_63V-2">{{Cita web|url=https://arstechnica.com/gadgets/2016/08/hbm3-details-price-bandwidth/|título=HBM3: Cheaper, up to 64GB on-package, and terabytes-per-second bandwidth|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Walton|nombre=Mark|fecha=2016-08-23|sitioweb=Ars Technica|idioma=en-us}}</ref><ref name=":1">{{Cita web|url=https://techreport.com/news/30559/hbm3-and-gddr6-emerge-fresh-from-the-oven-of-hot-chips|título=HBM3 and GDDR6 emerge fresh from the oven of Hot Chips|fechaacceso=21 de enero de 2023}}</ref>

== Implementación comercial ==
En Hot Chips 2016, Samsung anunció GDDR6 como el sucesor de GDDR5X.<ref name="Sin_nombre-1_63V-2"/><ref name=":1" /> [[Samsung]] anunció más tarde que los primeros productos serían chips de 1,35 V y 16 Gbit/s.<ref>{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/12027/samsung-preannounces-16-gbps-gddr6-chips-for-nextgen-graphics-cards|título=Samsung Pre-Announces 16 Gbps GDDR6 Chips for Next-Gen Graphics Cards|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Shilov|nombre=Anton|sitioweb=www.anandtech.com}}</ref><ref name=":2">{{Cita web|url=https://techreport.com/news/33129/samsung-fires-up-its-foundries-for-mass-production-of-gddr6-memory|título=Samsung fires up its foundries for mass production of GDDR6 memory|fechaacceso=21 de enero de 2023}}</ref> En enero de 2018, Samsung comenzó la producción en masa de chips GDDR6 de 16 Gb (2 GB), fabricados en un proceso de clase de 10 nm y con una velocidad de datos de hasta 18 Gbit/s por pin.<ref name=":2" /><ref>{{Cita web|url=https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-producing-industrys-first-16-gigabit-gddr6-for-advanced-graphics-systems|título=Samsung Electronics Starts Producing Industry’s First 16-Gigabit GDDR6 for Advanced Graphics Systems|fechaacceso=2023-01-21|sitioweb=news.samsung.com|idioma=en}}</ref><ref>{{Cita web|url=https://wccftech.com/samsung-gddr6-16gb-18gbps-mass-production-official/|título=Samsung Begins Mass Producing Fastest 18 Gbps GDDR6 Memory For High Performance Graphics Cards - Up To 24 GB of VRAM, 864 GB/s Bandwidth|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Mujtaba|nombre=Hassan|fecha=2018-01-18|sitioweb=Wccftech|idioma=en-US}}</ref>

En febrero de 2017, [[Micron Technology]] anunció que lanzaría sus propios productos GDDR6 a principios de 2018.<ref>{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/11100/micron-2017-analyst-conference-roadmap-updates-forecasts-and-ceo-retiring|título=Micron 2017 Roadmap Detailed: 64-layer 3D NAND, GDDR6 Getting Closer, & CEO Retiring|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Tallis|nombre=Billy|sitioweb=www.anandtech.com}}</ref> Micron comenzó la producción en masa de chips de 8 Gb en junio de 2018.<ref>{{Cita web|url=https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-begins-volume-production-gddr6-high-performance-memory?ReleaseID=1070810|título=Micron Begins Volume Production of GDDR6 High Performance Memory|fechaacceso=21 de enero de 2023}}</ref>

[[SK Hynix]] anunció que sus productos GDDR6 se lanzarían a principios de 2018.<ref name=":0" /><ref>{{Cita web|url=https://www.skhynix.com/eng/pr/pressReleaseView.do?seq=2086&offset=1|título=Press Release < PR < SK hynix|fechaacceso=2023-01-21|fecha=2017-04-24|sitioweb=web.archive.org|fechaarchivo=24 de abril de 2017|urlarchivo=https://web.archive.org/web/20170424090602/https://www.skhynix.com/eng/pr/pressReleaseView.do?seq=2086&offset=1|deadurl=yes}}</ref> SK Hynix anunció en abril de 2017 que sus chips GDDR6 se producirían en un proceso de 21 nm y tendrían un voltaje un 10 % más bajo que GDDR5.<ref name=":0" /> Se esperaba que los chips SK Hynix tuvieran una velocidad de transferencia de 14 a 16 Gbit/s.<ref name=":0" /> Se esperaba que las primeras tarjetas gráficas que usaran la RAM GDDR6 de SK Hynix usaran 12 GB de RAM con un bus de memoria de 384 bits, lo que generaba un ancho de banda de 768 GB/s.<ref name=":0" /> SK Hynix comenzó la producción en masa en febrero de 2018, con chips de 8 Gbit y una velocidad de datos de 14 Gbit/s por pin.<ref>{{Cita web|url=https://www.anandtech.com/show/12345/sk-hynix-lists-gddr6-memory-as-available-now|título=SK Hynix Lists GDDR6 Memory as ‘Available Now’, Publishes Final Specs|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Shilov|nombre=Anton|sitioweb=www.anandtech.com}}</ref>

[[Nvidia]] anunció oficialmente las primeras tarjetas gráficas de consumo que utilizan GDDR6, GeForce RTX 2080 Ti, RTX 2080 y RTX 2070 basadas en Turing el 20 de agosto de 2018,<ref>{{Cita web|url=http://nvidianews.nvidia.com/news/10-years-in-the-making-nvidia-brings-real-time-ray-tracing-to-gamers-with-geforce-rtx|título=10 Years in the Making: NVIDIA Brings Real-Time Ray Tracing to Gamers with GeForce RTX|fechaacceso=2023-01-21|sitioweb=NVIDIA Newsroom|idioma=en-us}}</ref> RTX 2060 el 6 de enero de 2019<ref>{{Cita web|url=http://nvidianews.nvidia.com/news/nvidia-geforce-rtx-2060-is-here-next-gen-gaming-takes-off|título=NVIDIA GeForce RTX 2060 Is Here: Next-Gen Gaming Takes Off|fechaacceso=2023-01-21|sitioweb=NVIDIA Newsroom|idioma=en-us}}</ref> y GTX 1660 Ti el 22 de febrero de 2019.<ref>{{Cita web|url=http://nvidianews.nvidia.com/news/new-geforce-gtx-1660-ti-delivers-great-performance-leap-for-every-gamer-starting-at-279|título=New GeForce GTX 1660 Ti Delivers Great Performance Leap for Every Gamer, Starting at $279|fechaacceso=2023-01-21|sitioweb=NVIDIA Newsroom|idioma=en-us}}</ref> La memoria GDDR6 de Samsung Electronics también se utiliza para la serie Quadro RTX basada en Turing.<ref>{{Cita web|url=https://wccftech.com/nvidia-quadro-rtx-turing-gpu-samsung-gddr6-memory/|título=Samsung Powers NVIDIA Quadro RTX Graphics Cards With 16Gb GDDR6 Memory - Up To 14 Gbps Speeds, 672 GB/s Bandwidth For Professional Cards|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Mujtaba|nombre=Hassan|fecha=2018-08-14|sitioweb=Wccftech|idioma=en-US}}</ref> La serie RTX 20 se lanzó inicialmente con chips de memoria Micron, antes de cambiar a chips Samsung en noviembre de 2018.<ref>{{Cita web|url=https://www.pcbuildersclub.com/en/2018/11/faulty-rtx-2080-ti-nvidia-switches-from-micron-to-samsung-for-gddr6-memory/|título=Faulty RTX 2080 Ti: Nvidia switches from Micron to Samsung for GDDR6 memory|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Maislinger|nombre=Florian|fecha=2018-11-21|sitioweb=PC Builder's Club|idioma=en-US}}</ref>

[[Advanced Micro Devices|AMD]] anunció oficialmente las Radeon RX 5700, 5700 XT y 5700 XT 50th Anniversary Edition el 10 de junio de 2019. Estas GPU Navi 10 utilizan 8 GB de memoria GDDR6.<ref>{{Cita web|url=https://www.tomshardware.com/news/amd-radeon-rx-5700-xt-50th-anniversary-edition,39603.html|título=AMD Radeon RX 5700 XT 50th Anniversary Edition Actually Looks Promising|fechaacceso=2023-01-21|apellido=published|nombre=Zhiye Liu|fecha=2019-06-11|sitioweb=Tom's Hardware|idioma=en}}</ref>

== GDDR6X ==
Micron desarrolló GDDR6X en estrecha colaboración con Nvidia. GDDR6X SGRAM aún no ha sido estandarizado por [[Joint Electron Device Engineering Council|JEDEC]]. Nvidia es el único socio de lanzamiento de GDDR6X de Micron.<ref>{{Cita web|url=https://www.tomshardware.com/news/micron-reveals-gddr6x-details-the-future-of-memory-or-a-proprietary-dram|título=Micron Reveals GDDR6X Details: The Future of Memory, or a Proprietary DRAM?|fechaacceso=2023-01-21|apellido=updated|nombre=Anton Shilov last|fecha=2020-09-06|sitioweb=Tom's Hardware|idioma=en}}</ref> GDDR6X ofrece un mayor ancho de banda por pin entre 19 y 21 Gbit/s con señalización PAM4, lo que permite transmitir dos bits por símbolo y reemplaza la codificación anterior NRZ (sin retorno a cero, PAM2) que proporcionaba solo un bit por símbolo, lo que limita el ancho de banda por pin de GDDR6 a 16 Gbit/s.<ref>{{Cita web|url=https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-marketing-brief/gddr6x_pam4_2x_speed_tech_brief|título=Micron® Innovates GDDR6X to Accelerate Graphics Memory|fechaacceso=21 de enero de 2023|fechaarchivo=19 de septiembre de 2020|urlarchivo=https://web.archive.org/web/20200919062707/https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-marketing-brief/gddr6x_pam4_2x_speed_tech_brief|deadurl=yes}}</ref> Las primeras tarjetas gráficas en usar GDDR6X son las tarjetas gráficas Nvidia GeForce RTX 3080 y 3090. La señalización PAM4 no es nueva, pero cuesta más implementarla, en parte porque requiere más espacio en los chips y es más propensa a problemas de relación señal-ruido (SNR),<ref>{{Cita web|url=https://www.edn.com/the-fundamentals-of-pam4/|título=The fundamentals of PAM4|fechaacceso=2023-01-21|apellido=Maliniak|nombre=David|fecha=2016-01-14|sitioweb=EDN|idioma=en-US}}</ref> que limitan principalmente su uso a redes de alta velocidad (como [[Ethernet]] 200G). GDDR6X consume un 15 % menos de energía por bit transferido que GDDR6, pero el consumo general de energía es mayor ya que GDDR6X es más rápido que GDDR6. En promedio, PAM4 consume menos energía y usa menos pines que la señalización diferencial y sigue siendo más rápido que NRZ. Se cree que GDDR6X es más económico que la memoria de alto ancho de banda.<ref name="Sin_nombre-1_63V-1"/>

== GDDR6W ==
Samsung anunció el desarrollo de GDDR6W el 29 de noviembre de 2022.<ref>{{Cita web|url=https://semiconductor.samsung.com/newsroom/tech-blog/a-bridge-between-worlds-how-samsungs-gddr6w-is-creating-immersive-vr-with-powerful-graphics-memory|título=A Bridge Between Worlds: How Samsung’s GDDR6W Creates Immersive Metaverse Experiences with Powerful Graphics Memory {{!}} Samsung Semiconductor|fechaacceso=2023-01-21|sitioweb=Samsung Semiconductor Global|idioma=en}}</ref>

Sus mejoras sobre GDDR6 son:

* Mayor tasa de transmisión por pin de 22 Gb/s
* Duplicación de la capacidad por paquete de 16 Gb a 32 Gb
* Duplica los pines de E/S del 32 a 64
* Espesor un 36% menor (0,7 mm menos que 1,1 mm mediante el uso de empaquetado a nivel de oblea Fan-Out (FOWLP)

== Referencias ==
{{Listaref|2}}
{{Control de autoridades}}
[[Categoría:Memorias informáticas]]
[[Categoría:SDRAM]]