Edición de «A-RAM»

'''A-RAM''' (''Advanced-Random Access Memory'') es un tipo de memoria [[DRAM]] basada en celdas de un solo [[transistor]]. Esta tecnología ha sido inventada en la [[Universidad de Granada]] ([[España]]) en colaboración con el [[Centre National de la Recherche Scientifique]], CNRS ([[Francia]]).

La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias [[DRAM]] convencionales, no necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información (condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor especialmente diseñado. A medida que la tecnología de circuitos semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [https://web.archive.org/web/20151228041321/http://www.itrs.net/], es de esperar que la tecnología convencional de almacenamiento no-volátil [[DRAM]] encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los transistores de silicio-sobre-aislante ([[Silicon-on-insulator]]). Estas memorias conocidas como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologías A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [//en.wikipedia.org/wiki/Z-RAM]. 

== Referencias ==
*Número de patente: FR09/52452, "Point mémorie RAM à un transistor", [[Institut Nationalle de la Propiété Industrielle]].
*"A-RAM: Novel capacitor less DRAM memory". 2009 IEEE International SOI Conference. Foster City, CA.


== Enlaces externos ==

* [https://web.archive.org/web/20110622001215/http://www.a-ram.org/ Web de la A-RAM de la Universidad de Granada]

* [http://www.eetimes.com/electronics-news/4209725/CNRS-offers-nano-memory-IP?pageNumber=1 Anuncio de la celda A-RAM en EETimes]



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